功耗降低30% 臺(tái)積電3nm快馬加鞭:2021年正式量產(chǎn)
導(dǎo)讀: 在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上,臺(tái)積電已經(jīng)一騎絕塵了,其他人望不到尾燈了,今年量產(chǎn)了5nm,明年就輪到3nm了。 在昨天的說法會(huì)上,臺(tái)積電公布了先進(jìn)工藝的最新進(jìn)展,5nm工藝已經(jīng)量產(chǎn),良率很好,同時(shí)還在提升EUV工
在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上,臺(tái)積電已經(jīng)一騎絕塵了,其他人望不到尾燈了,今年量產(chǎn)了5nm,明年就輪到3nm了。
在昨天的說法會(huì)上,臺(tái)積電公布了先進(jìn)工藝的最新進(jìn)展,5nm工藝已經(jīng)量產(chǎn),良率很好,同時(shí)還在提升EUV工藝的效率及性能。
5nm工藝今年有華為麒麟9000及蘋果A14兩個(gè)客戶,后續(xù)還會(huì)增加,預(yù)計(jì)今年貢獻(xiàn)8%的收入,明年會(huì)增加的雙位數(shù)以上。
5nm之后還會(huì)有4nm工藝,不過4nm只是5nm工藝的改進(jìn)版,完全兼容,進(jìn)一步提升性能、能效及密度,2021年Q4季度投產(chǎn),2022年規(guī)模量產(chǎn)。
在之后就是3nm節(jié)點(diǎn)了,這將是臺(tái)積電另外一個(gè)長(zhǎng)期存在的高性能節(jié)點(diǎn)。
與5nm工藝相比,3nm的晶體管密度提升70%,性能提升15%或者功耗降低30%,同時(shí)繼續(xù)使用FinFET工藝,技術(shù)成熟度更高。
至于3nm的生產(chǎn)時(shí)間,臺(tái)積電表示會(huì)在2021年開始量產(chǎn),并最終在2022年下半年實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。
從臺(tái)積電的表態(tài)來看,3nm節(jié)點(diǎn)的進(jìn)展很順利,量產(chǎn)時(shí)間要比之前的傳聞還要早一些。
責(zé)任編輯:zsz
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