經初步測試，“Shinebolt”的最大數據傳輸速度將比上一代有所提升，預計將達到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e(最大數據傳輸速度為1.15TB/s)更快。

　　同時“Shinebolt”還采用了最新的12層垂直堆疊方案，能夠在單個HBM3e封裝上實現高達36GB的容量，而原型版本使用的8層堆疊方案僅實現了24GB的容量。

　　據悉，HBM(High Bandwidth Memory)屬于垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能產品。

　　HBM DRAM產品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發，其中HBM3e是HBM3的擴展(Extended)版本。HBM被認為是人工智能時代的新一代DRAM。