臺(tái)積電的命名為N3，號(hào)稱5nm之后的一個(gè)全新工藝節(jié)點(diǎn)，可將密度增加70%，同等功耗下性能提升10-15%，同等性能下功耗降低25-30%。

　　三星的命名為3GAE，首次引入GAA全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(初期版本)。

　　據(jù)半導(dǎo)體專業(yè)人士分析，臺(tái)積電N3工藝目前的良品率低則60-70%，高則70-80%，與5nm工藝初期的水平類似。

　　對(duì)于剛投入量產(chǎn)的先進(jìn)工藝來(lái)說(shuō)，這已經(jīng)是非常不錯(cuò)的良率水平，具備了大規(guī)模量產(chǎn)、供貨的條件。

　　臺(tái)積電還在開發(fā)N3E、N3P、N3S、N3X等不同版本，這也奠定了很好的基礎(chǔ)。

　　相比之下，三星3GAE的初期良率要低得多，估計(jì)在10-20%左右，而且一直沒(méi)有明顯改善，芯片質(zhì)量也參差不齊。

　　當(dāng)然，以上數(shù)字都是業(yè)界估測(cè)，臺(tái)積電、三星都不可能公布具體數(shù)字，只能走著瞧了。

　　不過(guò)，三星工藝?yán)�胯也不是一次兩次了�?/p>